| 专利名称 | 化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法 | 申请号 | CN85105699 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN85105699 | 公开（授权）日 | 1987.01.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海冶金研究所 | 发明（设计）人 | 吴丁芬;程宗权 | 主分类号 | H01L21/283 | IPC主分类号 | H01L21/283;H01L21/24;H01L21/40;H01L21/441 | 专利有效期 | 化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法 至化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法 | 法律状态 | 审定 | 说明书摘要 | 本发明是化合物半导体平面结型器件欧姆接触 的制备方法。它使用同样的接触合金AuGe，可同时 在平面器件的p区和n区得到满意的欧姆接触。使用 本发明可减少蒸发光刻及热处理次数，简化工艺，提 高成品率。 |
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