| 专利名称 | 沟槽隔离结构及其形成方法 | 申请号 | CN201010552589.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102468215A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 钟汇才;尹海洲;梁擎擎;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 沟槽隔离结构及其形成方法 至沟槽隔离结构及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种沟槽隔离结构及其形成方法，所述沟槽隔离结构包括：半导体基底；第一沟槽，形成于所述半导体基底的表面上，其中填充有外延层，所述外延层的表面高于所述半导体基底的表面；第二沟槽，形成于所述外延层上，其中填充有第一介质层，所述第一介质层的表面与所述外延层的表面齐平，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度。本发明利于减少边沟对半导体器件性能的影响。 |
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