| 专利名称 | 一种半导体器件及其形成方法 | 申请号 | CN201010548655.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102468174A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 骆志炯;尹海洲;朱慧珑 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件及其形成方法 至一种半导体器件及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：形成材料层，所述材料层暴露伪栅和侧墙并夹于各栅堆叠基体之间，所述材料层材料与所述伪栅材料相同；去除所述伪栅和所述材料层，以形成凹槽；以导电材料填充所述凹槽后，平坦化所述导电材料，以暴露所述侧墙；断开所述侧墙外围的所述导电材料，以形成至少两个导电体，各所述导电体只接于所述侧墙外围一侧的所述有源区，并形成栅堆叠结构和第一接触塞。以及，一种半导体器件。均利于扩大形成接触塞时的工艺窗口。 |
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