| 专利名称 | 一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法 | 申请号 | CN201110198078.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102260870A | 公开（授权）日 | 2011.11.30 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 曹远迎;李耀耀;张永刚;顾溢;王凯 | 主分类号 | C23F1/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C23F1/02(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I;H01L21/308(2006.01)I;H01L21/467(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I | 专利有效期 | 一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法 至一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种亚微米尺寸二维介质柱型光子晶体的制备方法，包括：等离子增强化学气相沉积(PECVD)淀积Si3N4、旋转涂胶、软烘、垂直交叉曝光、曝光后烘焙、分步显影、反应离子刻蚀法(RIE)刻蚀Si3N4、去除光刻胶、电感耦合等离子体刻蚀法(ICP)刻蚀衬底材料、去除Si3N4。本发明弥补了全息干涉难以利用正性光刻胶制得二维介质柱型光子晶体的不足，与电子束曝光等方法相比，具有操作简单、价格低廉、控制精确，且能大面积制备等优点，能够很好的满足了制备亚微米尺寸二维介质型光子晶体的需要，具有良好的应用前景。 |
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