| 专利名称 | 非圆断面薄壁真空管道及非圆断面薄壁真空室 | 申请号 | CN201120367653.5 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202231941U | 公开（授权）日 | 2012.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院近代物理研究所 | 发明（设计）人 | 张军辉;蒙峻;罗成;马向利;张小奇;张斌;马力祯 | 主分类号 | H05H7/14(2006.01)I | IPC主分类号 | H05H7/14(2006.01)I | 专利有效期 | 非圆断面薄壁真空管道及非圆断面薄壁真空室 至非圆断面薄壁真空管道及非圆断面薄壁真空室 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型主要涉及电真空领域，尤其涉及一种可以在高频交流电场或交变磁场下使用的大型非圆断面薄壁真空室。一种非圆断面薄壁真空管道，所述的真空管道靠近磁极的管壁剖面呈直线，剖面为直线管壁的两侧管壁呈半圆弧线，整个真空管道的剖面呈跑道形；所述真空管的管高为10～90mm，管宽为10～250mm，其管壁厚度为0.3～1mm。本实用新型还提供一种非圆断面薄壁真空管道组成的非圆断面薄壁真空室。本实用新型解决了大范围高频交流电场或交变磁场下大型薄壁真空室的设计问题，而设计为非圆断面的目的是通过减小真空室高度尺寸降低电磁铁磁极间隙，从而大大降低工程建造成本。 |
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