| 专利名称 | 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管 | 申请号 | CN201010531161.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102468332A | 公开（授权）日 | 2012.05.23 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘梦新;赵发展;刘刚;罗家俊;韩郑生 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管 至一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管，包括：从上至下依次为顶层硅、隐埋氧化层和底层硅的绝缘体上硅；自左向右依次设置于顶层硅内的MOS晶体管体区、体接触连接区及体接触区；设置于MOS晶体管体区上表面的正栅氧化层，设置于正栅氧化层上表面的正栅多晶硅层，设置于正栅多晶硅层上表面的正栅多晶硅化物层；设置于正栅多晶硅层左侧的第一侧墙区，以及设置于正栅多晶硅层右侧的第二侧墙区；设置于MOS晶体管体区内部靠近第一侧墙区的漏区，设置于漏区上表面的漏区硅化物层，以及设置于漏区左侧的第一隔离氧化物区。本发明提供的基于绝缘体上硅的MOS晶体管可有效抑制浮体效应对SOI?MOS器件性能的影响。 |
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