专利名称 | 低压脉冲磁场作用下细晶金属材料制备方法 | 申请号 | CN200810228547.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开(公告)号 | CN101733380A | 公开(授权)日 | 2010.06.16 | 申请(专利权)人 | 中国科学院金属研究所 | 发明(设计)人 | 杨院生;汪斌;童文辉;李应举;马晓平;冯小辉 | 主分类号 | B22D11/115(2006.01)I | IPC主分类号 | B22D11/115(2006.01)I;B22D1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 低压脉冲磁场作用下细晶金属材料制备方法 至低压脉冲磁场作用下细晶金属材料制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及金属材料制备领域,具体为一种低压脉冲磁场作用下细晶金属材料的制备方法,其工艺简单有效,适用范围广,能耗和成本低。解决了现有技术中设备庞大,电压高,操作安全性差,限制了脉冲磁场在工业生产上的应用和推广等问题。先将金属材料熔化并在一定过热度下保温一定时间,然后将合金熔体浇注到置于脉冲磁场凝固装置中的模具中,使合金熔体在脉冲磁场作用下凝固。脉冲磁场发生电压为10~500V,脉冲频率1~25Hz,作用时间为3~30分钟,浇注温度和模具预热温度由所制备的材料决定。本发明具有不受合金成分限制,可制备大尺寸的均匀细晶铸锭等特点,且具有无污染,节约能源,设备简单,操作简便易行,降低成本和投资等优点。 |
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