| 专利名称 | 金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法 | 申请号 | CN201010017134.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101736400A | 公开（授权）日 | 2010.06.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 曾雄辉;徐科;王建峰;任国强;包峰;黄凯;张锦平 | 主分类号 | C30B25/20(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/20(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I | 专利有效期 | 金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法 至金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种金属有机化学气相沉积生长GaN基发光晶体膜的方法，其特征在于：在所述GaN晶体膜的原料配方中按比例掺入三甲基硼或三甲基铝，在牛长过程中所述硼或铝以三价离子的形式进入GaN晶格，调配稀土离子和Ga3+之间的离子半径差；所述原料配方摩尔比例为：Ga(CH3)3∶稀土有机配合物∶A(CH3)3＝(1-x-y)∶x∶y，其中稀土有机配合物是指以稀土元素Re为核心的Re(TMHD)3或Re(i-PrCp)3，A表示III族元素硼或铝，0.1％≤x≤10.0％，0.1x≤y≤x。本发明由于采用了III族元素硼或铝的有机配合物和稀土有机配合物按一定配比进行共掺，从而能在很大程度上改善因为Re3+和Ga3+之间较大的半径失配而造成的GaN晶体膜晶格畸变，进而提高GaN晶体膜的发光性能。 |
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