| 专利名称 | 百纳米级窄线宽多种形貌全息光栅光刻胶图样的制备方法 | 申请号 | CN200810225785.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101738662A | 公开（授权）日 | 2010.06.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 陈熙;钟源;陈良惠 | 主分类号 | G02B5/18(2006.01)I | IPC主分类号 | G02B5/18(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I;G03F7/32(2006.01)I;G03F7/40(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I | 专利有效期 | 百纳米级窄线宽多种形貌全息光栅光刻胶图样的制备方法 至百纳米级窄线宽多种形貌全息光栅光刻胶图样的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种百纳米级窄线宽多种形貌全息光栅光刻胶图样的制备方法，该方法包括：步骤1：将光刻胶按不同的配比进行稀释，在清洗干净的衬底上甩胶，得到厚度分别为80nm、120nm、160nm、200nm和260nm的光刻胶层；步骤2：采用325nm的全息曝光系统，对不同厚度的光刻胶层进行相应剂量的曝光；步骤3：对经过曝光处理的样品进行显影和定影，得到相应的光刻胶光栅形貌图样；步骤4：对样品进行后烘，利用等离子体去胶机去除底胶，并对得到的光刻胶光栅形貌进行修饰。利用本发明，制备出了百纳米级窄线宽多种形貌的全息光栅光刻胶图样。 |
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