| 专利名称 | 一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法 | 申请号 | CN200910117708.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101740715A | 公开（授权）日 | 2010.06.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院近代物理研究所 | 发明（设计）人 | 孙建荣;王志光;金运范;姚存峰;王瑜玉;魏孔芳;申铁龙;缑洁;臧航 | 主分类号 | H01L43/12(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L43/12(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法 至一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料的磁致电阻的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种用高能重离子辐照提高、调制半金属性薄膜材料磁致电阻的方法，其措施是：(1)半金属性薄膜的膜厚控制在100纳米到10微米之间；(2)辐照重离子的种类为Aq+，A为选自原子序数10到92号元素中的一种，q+为经加速器剥离过的电荷态数目，为：1≤q≤A的原子序数；(3)辐照重离子的能量范围在100keV到10GeV之间；(4)辐照重离子的辐照量范围为1010ions/cm2到1017ions/cm2。通过本发明方法，能够显著增加以Fe3O4纳米多晶薄膜为代表的半金属性薄膜材料的晶粒绝缘边界、减小表面应力，可以获得高质量的势垒层及势垒界面，使得其室温磁致电阻明显提高并能被施以人为调制。 |
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