| 专利名称 | 简化十二极场磁铁装置及其制造方法 | 申请号 | CN201210334199.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102867546A | 公开（授权）日 | 2013.01.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 王相綦;罗焕丽;李想 | 主分类号 | G21B1/21(2006.01)I | IPC主分类号 | G21B1/21(2006.01)I | 专利有效期 | 简化十二极场磁铁装置及其制造方法 至简化十二极场磁铁装置及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种交叉垂直双向聚焦简化十二极场磁铁装置及其制造方法，该装置包括：准直靶座、上磁轭、左磁轭、右磁轭、下磁轭、八个励磁线包、四个屏蔽磁体、真空管道、连接导线、第一接头和第二接头；该方法包括以下步骤：根据欲操控带电粒子束的全粒子尺寸，确定真空管道的内、外孔径与极面孔径；在确定了极面孔径的标准十二极场磁铁的基础上，取消其中位于交叉垂直位置上四个磁极头；以真空管道外直径和极面尺寸为限，以真空管道外表面为屏蔽磁体装配基础，以屏蔽磁体不与磁极头表面有直接接触为限，选择磁体形状，并调整磁极头形状使得散焦扇区侧变窄。 |
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