| 专利名称 | 碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法 | 申请号 | CN200910198967.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101740502A | 公开（授权）日 | 2010.06.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 叶振华;尹文婷;马伟平;黄建;林春;胡晓宁;丁瑞军;何力 | 主分类号 | H01L21/82(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/82(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法 至碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碲镉汞微台面红外探测芯片的光敏感元列阵成形方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用先于碲镉汞红外焦平面探测芯片表面制作用于形成深微台面列阵芯片隔离沟槽的光刻胶掩蔽膜图形，然后利用旋转涂敷的方法往光刻胶掩蔽膜构成的沟槽图形内填充一定数量的碲镉汞材料的溴与氢溴酸混合腐蚀液，并通过控制光刻胶掩蔽膜形成的隔离沟槽图形的深度和腐蚀时间来控制深微台面列阵芯片所需的隔离沟槽深度的技术方案，有效解决了常规光敏感元列阵成形方法存在工艺损伤和占空比低的问题。本发明方法具有与HgCdTe探测芯片常规工艺完全兼容、低成本、高可控性、高均匀性和无工艺诱导电学损伤等特点。 |
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