| 专利名称 | 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 | 申请号 | CN200810226288.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101740384A | 公开（授权）日 | 2010.06.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;张明兰;肖红领;王翠梅;唐健;冯春;姜丽娟 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 专利有效期 | 制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 至制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓成核层；在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；在氮化铝插入层上生长铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上生长氮化铟盖帽层；刻蚀氮化铟盖帽层；制备源、漏欧姆接触；制备栅金属；电极金属加厚。利用本发明，降低了制备成本，简化了制备工艺，提高了工艺的可靠性。 |
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