| 专利名称 | 碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法 | 申请号 | CN200910198969.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101740662A | 公开（授权）日 | 2010.06.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 叶振华;黄建;胡伟达;尹文婷;林春;陈路;廖清君;胡晓宁;丁瑞军;何力 | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法 至碲镉汞红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面芯片的碲化镉原位钝化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在由分子束外延生长碲镉汞红外探测材料的终点时，于碲镉汞薄膜表面先原位生长一层碲化镉薄膜，并在碲镉汞红外探测芯片制备过程中对需要钝化区域的碲化镉薄膜不予以破坏的碲化镉原位钝化的技术方案，有效解决了常规碲化镉钝化方法会造成碲镉汞红外焦平面探测芯片探测性能损失和工艺稳定性低的问题。本发明方法具有工艺简单、操作便捷、稳定性高和钝化效果好的特点。 |
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