| 专利名称 | 半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机 | 申请号 | CN200810226688.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101740337A | 公开（授权）日 | 2010.06.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 惠瑜;景玉鹏 | 主分类号 | H01L21/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/00(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;B08B7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机 至半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机，其清洗腔内有磁动旋转装置。二氧化碳超临界流体具有零表面张力、低粘滞度、强扩散能力和溶解能力，可以对硅片上的微细结构进行有效清洗和超临界干燥。该半导体二氧化碳超临界吹扫清洗机的主要结构是清洗腔，在设计中通过加入磁旋转结构，配合喷嘴，可以达到理想的清洗效果。该设备的开发和研制，可以大大推动半导体清洗技术的发展。 |
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