| 专利名称 | 互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法 | 申请号 | CN200810227483.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101740570A | 公开（授权）日 | 2010.06.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王文武;陈世杰 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/51(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法 至互补型金属氧化物半导体晶体管器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种互补型金属氧化物半导体(CMOS)晶体管器件及其制作方法。该CMOS晶体管器件包含硅衬底、第一晶体管和第二晶体管。本发明提供的这种具有主高k栅介质层和超薄高k界面层结构结构的CMOS晶体管器件及其制作方法，有效地解决32纳米以下技术代CMOS器件中由于使用高k电介质而带来的高阈值电压问题。采用本发明的CMOS器件结构，通过在主高k层下方加入一层超薄高k界面层结构来达到有效控制CMOS器件阈值电压的目的。 |
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