| 专利名称 | 多流向元胞集成的LDMOS功率器件 | 申请号 | CN201110187985.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102867826A | 公开（授权）日 | 2013.01.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 姜一波;杜寰 | 主分类号 | H01L27/088(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/088(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I | 专利有效期 | 多流向元胞集成的LDMOS功率器件 至多流向元胞集成的LDMOS功率器件 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明实施例公开了一种LDMOS功率器件，包括：半导体基底；多边形状的LDMOS阳极元胞和多边形状的LDMOS阴极元胞，其中，所述阳极元胞和阴极元胞交错排列于所述半导体基底之中；位于所述阳极元胞和阴极元胞之间的漂移区；将所有LDMOS阳极元胞连接得到的正极，以及将所有LDMOS阴极元胞连接得到的负极。本发明公开的上述方案，通过在器件的阳极元胞和阴极元胞之间形成多流形式的电流，电流产生的功率耗散分布更加均匀，从而使器件具有更好的散热性能，提高了其可靠性与稳定性。此外，本发明公开的上述方案，使得采用多边形元胞集成结构的多流向元胞集成LDMOS功率器件具有更高的集成度以及更小的栅电阻Rg。 |
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