| 专利名称 | 一种光栅辅助纳米成像的光刻方法 | 申请号 | CN201210365973.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102866594A | 公开（授权）日 | 2013.01.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗先刚;王长涛;赵泽宇;王彦钦;黄成;陶兴;刘玲;杨磊磊;蒲明薄;杨欢 | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/20(2006.01)I;G02B5/18(2006.01)I | 专利有效期 | 一种光栅辅助纳米成像的光刻方法 至一种光栅辅助纳米成像的光刻方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种光栅辅助纳米成像的光刻方法，纳米物体或纳米图形掩模位于物方区域，在纳米物体或纳米图形掩模前放置一物方光栅，该光栅作用在于将高频倏逝波转化为传输波；在物方光栅外的远场区域放置一光学成像镜头组，利用该镜头组实现对光场分布投影成像。在光学成像镜头组另一侧放置一像方光栅，将传输波转化为高频倏逝波，最后在像方光栅下的成像区域成像。本发明利用两个光栅对传输波和倏逝波进行转化，同时利用光学成像镜头组实现对光场分布投影成像，得到了亚波长尺度的成像，突破了常规超衍射材料近场限制，物像空间位置关系可处于远场范围，且视场不受限于超衍射材料的损耗、加工困难等因素，拓展到与传统成像光学系统视场相当的尺寸。 |
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