| 专利名称 | 用微波等离子氢化四氯化硅制三氯氢硅和二氯氢硅的方法 | 申请号 | CN200910238263.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101734666A | 公开（授权）日 | 2010.06.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院过程工程研究所 | 发明（设计）人 | 张伟刚;卢振西 | 主分类号 | C01B33/107(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B33/107(2006.01)I | 专利有效期 | 用微波等离子氢化四氯化硅制三氯氢硅和二氯氢硅的方法 至用微波等离子氢化四氯化硅制三氯氢硅和二氯氢硅的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 针对目前多晶硅产业中西门子法四氯化硅的催化氢化，高能耗，一次转化率低，设备投资高，而现有专利热等离子法和射频感应等离子法四氯化硅氢化法能耗物耗高，不易实现工业化，本发明提供一种用微波等离子氢化四氯化硅制三氯氢硅和二氯氢硅的方法。起弧气氢气、氩气或二者混合气体在微波激励下形成稳定的冷等离子体；等离子体炬在起弧气体的流动下形成等离子体射流；将原料气喷射入等离子射流特定区域，形成一个活性粒子消耗区，在该区域四氯化硅被氢化为三氯氢硅。本发明的方法四氯化硅的一次转化率可达到60％左右，产物后续处理简单，对设备和操作控制的要求不高，易于实现工业化。 |
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