| 专利名称 | 用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元 | 申请号 | CN200810226686.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101741346A | 公开（授权）日 | 2010.06.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 陈勇;周玉梅;卫宝跃 | 主分类号 | H03H11/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H03H11/04(2006.01)I;H03H11/12(2006.01)I | 专利有效期 | 用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元 至用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于实现零极点型高阶滤波器的跨导-电容双二阶单元，包括：一第一级跨导-电容积分单元，包括两个NMOS晶体管和一个电容，用于将接收的输入电压信号转换成电流信号，并给电容充电；一第二级跨导-电容积分单元，包括两个PMOS晶体管和一个电容，用于将第一级积分单元输出的电压信号转换成电流信号，并给电容充电；一内部堆叠管，包括两个PMOS晶体管，控制输出共模电压，并用于与第一级积分单元和第二级积分单元一起综合复数极点；一电流源，用于向跨导-电容双二阶单元的支路提供电流；一同相前馈电容元件，包括两个电容，用于确定跨导-电容双二阶单元的复数共轭零点特性。利用本发明，实现了零极点型高阶滤波器，降低了功耗。 |
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