| 专利名称 | CMOS源极耦合高速分频器偏置电路的设计方法 | 申请号 | CN200810227487.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101741540A | 公开（授权）日 | 2010.06.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 阎跃鹏;曾隆月;陈家国 | 主分类号 | H04L7/033(2006.01)I | IPC主分类号 | H04L7/033(2006.01)I;H04L7/00(2006.01)I | 专利有效期 | CMOS源极耦合高速分频器偏置电路的设计方法 至CMOS源极耦合高速分频器偏置电路的设计方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种CMOS源极耦合高速分频器偏置电路的设计方法，包括：从晶圆厂商提供的PDK文档或模型文件中，找出VTN、KTN、VTP、αμp和KTP参数的数值；使用HSPICE(或其它EDA工具，如：Cadence、ADS)通过直流仿真得到Vgs；利用Vgs、VTN、KTN、VTP、αμp和KTP参数求出所需偏置电流的温度系数和所需偏置电压的温度系数；根据求出的所需偏置电流的温度系数和所需偏置电压的温度系数设计出CMOS源极耦合高速分频器的偏置电路。利用本发明，源极耦合高速分频器消耗的功耗与绝对温度成一定比例关系，源极耦合高速分频器的最高工作频率和输出振幅基本保持不变，降低了源极耦合高速分频器的功耗，提高了源极耦合高速分频器的工作速度。 |
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