| 专利名称 | 强磁场下脉冲激光沉积薄膜制备系统 | 申请号 | CN201210324101.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102877032A | 公开（授权）日 | 2013.01.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 戴建明;方军;张科军;吴文彬;孙玉平 | 主分类号 | C23C14/28(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/28(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 强磁场下脉冲激光沉积薄膜制备系统 至强磁场下脉冲激光沉积薄膜制备系统 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种强磁场下脉冲激光沉积薄膜制备系统，包括超导磁体、真空室、准分子脉冲激光器、激光束聚焦与扫描、高真空机组及各种控制系统等组成。真空腔内设有基片台、可旋转和升降的靶台等。在真空室内设有遮挡板，避免靶材的交叉污染，在靶台和基片台附近设有光纤摄像头，便于观察真空室内激光光路对准和薄膜沉积情况。本发明使用了超导磁体，磁场的方向与沉积薄膜的膜面可以平行或垂直，系统可用于0～15特斯拉不同磁场强度下的薄膜原位生长和后退火处理，从而实现对所沉积薄膜的微结构和功能特性的调控。 |
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