| 专利名称 | 一种碳纳米管宏观体的制备方法 | 申请号 | CN200810228255.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101723349A | 公开（授权）日 | 2010.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院金属研究所 | 发明（设计）人 | 成会明;刘庆丰;任文才;李峰;丛洪涛 | 主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B31/02(2006.01)I | 专利有效期 | 一种碳纳米管宏观体的制备方法 至一种碳纳米管宏观体的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及碳纳米管的制备技术，具体为一种碳纳米管宏观体的制备方法，适用于制备单壁、双壁或多壁碳纳米管的宏观体。该方法采用含铁(钴或镍)催化剂和含硫生长促进剂，在气态下充分混合均匀，进入反应区生成碳纳米管。所生成碳纳米管漂浮在气相，随着气流方向进入低温区并过滤沉积到多孔材料上，从而形成具有多层碳纳米管薄膜堆积而成的碳纳米管宏观体。本发明可简单地通过调节工艺参数来控制碳纳米管微观结构、单层碳纳米管薄膜的堆积密度和宏观体的厚度，并且该方法具有产物产量高、纯度高、成本低的特点。 |
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