| 专利名称 | Cu2ZnSnSxSe4-x纳米晶的制备方法 | 申请号 | CN200910199925.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101723336A | 公开（授权）日 | 2010.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 刘玉峰;陈鑫;葛美英;吴杰;孙艳;戴宁 | 主分类号 | C01B19/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C01B19/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | Cu2ZnSnSxSe4-x纳米晶的制备方法 至Cu2ZnSnSxSe4-x纳米晶的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种低成本、高质量的Cu2ZnSnSxSe4-x纳米晶的制备方法，该方法是通过将反应物前驱体油胺、乙酰丙酮酸铜、醋酸锌、四氯化锡和硫粉、硒粉加入反应烧瓶中，然后升高温度进行反应，最终得到高质量的Cu2ZnSnSxSe4-x纳米晶。本发明的优点在于：纳米晶的制备方法简单，所用前驱体材料成本低廉、无毒性，制备的纳米晶颗粒分散性、结晶性较好等。该发明制备的纳米晶可作为光伏器件的吸收层。 |
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