| 专利名称 | 多栅晶体管及其制造方法 | 申请号 | CN201110199673.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102881724A | 公开（授权）日 | 2013.01.16 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;赵超;李俊峰 | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 多栅晶体管及其制造方法 至多栅晶体管及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种多栅晶体管，包括：衬底；氧化物层，位于衬底上；鳍形结构，位于氧化物层上且与衬底相连，包括沟道区以及沟道区两端的源漏区；栅极介质层，位于鳍形结构上且包围沟道区；栅极，位于氧化物层以及栅极介质层上，垂直于鳍形结构；其特征在于，源漏区由金属硅化物构成。依照本发明的半导体器件及其制造方法，由于完全采用金属硅化物作为多栅晶体管的鳍形的源漏区，有效降低了源漏串联电阻且避免了源漏掺杂带来的非晶化区淬火后不能晶化的问题。此外，由于沟道区与金属硅化物界面处具有掺杂离子的聚集区，有效降低了肖特基势垒高度，进一步提高了器件性能。 |
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