| 专利名称 | 红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法 | 申请号 | CN200910198962.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101726364A | 公开（授权）日 | 2010.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 叶振华;尹文婷;胡伟达;黄建;马伟平;林春;廖清君;胡晓宁;丁瑞军;何力 | 主分类号 | G01J5/02(2006.01)I | IPC主分类号 | G01J5/02(2006.01)I | 专利有效期 | 红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法 至红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种红外焦平面列阵器件的内吸收率增强方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用在红外焦平面列阵器件光敏感元芯片非电极区域的钝化层表面制作起内反射镜面作用的金属层，来实现红外辐射吸收厚度比红外光敏感元列阵芯片有源区实际厚度大一倍的技术方案，有效解决了红外辐射在红外焦平面列阵器件内部吸收率、内量子效率低的问题。本发明方法具有工艺完全兼容、稳定性好以及不降低光电转换效率的特点。 |
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