| 专利名称 | 一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法 | 申请号 | CN200910243539.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101727007A | 公开（授权）日 | 2010.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗先刚;王长涛;冯沁;邢卉;潘丽;刘尧;方亮;刘玲 | 主分类号 | G03F7/095(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F7/095(2006.01)I;G03F1/00(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法 至一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于高深宽比纳米图形加工的反射式表面等离子体成像光刻方法，是采用光刻胶-银膜一光刻胶的三层膜层结构基片，纳米掩模图形面与基片表层光刻胶接触曝光。银膜功能是通过紫外照明光，将铬膜上的线宽尺度在20nm～500nm的图形成像到基片表层光刻胶，实现纳米图形成像光刻。表层光刻胶曝光显影后，通过两步刻蚀，将图形传递到金属银膜和底层光刻胶层，从而实现高深宽比的纳米光刻胶图形。 |
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