| 专利名称 | 一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法 | 申请号 | CN200910241920.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101726990A | 公开（授权）日 | 2010.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 方亮;王长涛;罗先刚;潘丽;刘尧;刘玲;邢卉;刘凯鹏 | 主分类号 | G03F1/08(2006.01)I | IPC主分类号 | G03F1/08(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法 至一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种用于200nm以下线宽超衍射光刻的硅掩模及其制作方法，该掩模由紫外透明材料基片上的硅膜作为图形层。其制作方法是：首先在基片上加工一定厚度的硅膜，使其对紫外光的透过率在5％以内；然后在硅膜表面加工一层薄的铬膜；利用聚焦离子束在铬膜上制备线宽小于200nm的图形；以铬膜层为遮蔽层，通过反应离子束刻蚀硅膜，使铬膜上的图形转移至硅膜上；最后用去铬液腐蚀掉残留的铬膜，制成分辨率高、图形层深度大的实用硅掩模。该硅掩模和加工方法解决了聚焦离子束难以制作图形层深度大、线宽小于200nm的铬掩模的技术困难，在纳米光刻技术中具有广阔的应用前景。 |
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