| 专利名称 | 一种可用于光束整形的金属槽缝结构 | 申请号 | CN200910243535.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101726869A | 公开（授权）日 | 2010.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗先刚;赵泽宇;崔建华;冯沁;李雄 | 主分类号 | G02F1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | G02F1/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种可用于光束整形的金属槽缝结构 至一种可用于光束整形的金属槽缝结构 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种可用于光束整形的金属槽缝结构，包括以下步骤：(1)选择硅基片，并将其表面抛光；然后在其表面溅射沉积一层厚度在所需波长量级的金属膜；(2)采用聚焦离子束光刻技术，在金属膜的一端开始刻蚀沟槽，一个沟槽刻蚀完成后，向另一端周期性地移动聚焦离子束的聚焦位置，重复刻蚀多个沟槽；(3)一边沟槽达到一定数量后，再将聚焦离子束的聚焦位置沿同一方向移动一个周期；将金属层刻透，形成一条缝隙。(4)再沿同一方向周期性地移动聚焦离子束的聚焦位置，重复步骤(2)，刻蚀与步骤(2)中同样数量的沟槽。一种可用于光束整形的金属槽缝结构制作完成。本发明结构简单、制作方便，可以实现以0度角方向为中心在任意的角度范围内实现强度均匀分布的远场辐射。这为微波和光频段的远场电磁辐射控制提供了新的方法和新的功能。 |
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