| 专利名称 | 阴极真空电弧源薄膜沉积装置 | 申请号 | CN201020144810.1 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN201660693U | 公开（授权）日 | 2010.12.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 汪爱英;李洪波;柯培玲 | 主分类号 | C23C14/32(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/32(2006.01)I | 专利有效期 | 阴极真空电弧源薄膜沉积装置 至阴极真空电弧源薄膜沉积装置 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种阴极真空电弧源薄膜沉积装置，包括具有高速传输等离子与有效过滤宏观大颗粒的磁性过滤部分，该磁性过滤部分包括管体与设置在管体外部周缘的磁场产生器，管体包括管体入口端面和管体出口端面，管体入口端面与管体出口端面之间至少有一个弯管，并且该弯管两侧管体的轴线之间的夹角为135°。与现有技术相比，本实用新型的阴极真空电弧源薄膜沉积装置可以实现有效过滤宏观大颗粒，同时高速传输等离子体，从而提高了薄膜的质量与沉积速率。通过本实用新型的阴极真空电弧源薄膜沉积装置可以高速沉积薄膜，沉积的薄膜结构致密，表面光滑、均匀区面积大，可以用于沉积高性能的ta-C薄膜。 |
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