| 专利名称 | 一种基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体 | 申请号 | CN200910243548.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101724811A | 公开（授权）日 | 2010.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院光电技术研究所 | 发明（设计）人 | 罗先刚;冯沁;赵泽宇;胡承刚;崔建华 | 主分类号 | C23C14/04(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C14/04(2006.01)I;C23C14/10(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;C23C14/24(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体 至一种基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体，制作步骤：(1)选择石英基片，并将其表面抛光；然后采用真空蒸镀，在表面抛光后的石英基片表面沉积一层厚度大于50纳米为的金膜；(2)在金膜表面蒸镀一层厚度为35纳米至45纳米的SiO2膜，并在所述SiO2膜上均匀涂覆一层光刻胶；(3)采用电子束光刻的方法，在光刻胶上制备出亚波长介质柱结构，所述亚波长介质柱结构的周期为235纳米-245纳米，占空比为1∶1.35-1∶1.45；(4)采用真空蒸镀技术，在已成型光刻胶上蒸镀厚度为20纳米至25纳米的金膜；(5)采用去胶液，将亚波长介质柱结构和蒸镀在亚波长介质柱结构上的金膜除去，基于亚波长金属孔阵列的电磁完美吸收体制作完成。本发明具有制作简便，厚度小，入射角度大的特性，在电磁能量吸收、转换等领域具有很大的应用前景。 |
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