| 专利名称 | 一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法 | 申请号 | CN200910238111.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101724906A | 公开（授权）日 | 2010.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所;北京天科合达蓝光半导体有限公司 | 发明（设计）人 | 陈小龙;鲍慧强;彭同华;王刚;刘春俊;王波;李龙远 | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B23/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法 至一种用于生长高质量导电型碳化硅晶体的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高效生长碳化硅晶体的方法，即通过快速生长制备高质量导电型碳化硅晶体的方法。在传统的物理气相传输法生长导电型碳化硅晶体过程中，晶体生长速度通常在0.1-0.5mm/h范围，电阻率≥0.025欧姆·厘米。本发明采用更高的原料温度(2300-2700℃)，较低的生长界面温度(1800-2300℃)，并辅以控制生长体系的氮气压力，可获得高的晶体生长速度(0.6-3mm/h)，晶体的电阻率可达0.01欧姆·厘米，并且晶体的结晶质量很高。实现高质量、低电阻率碳化硅晶体的快速生长，为进一步提高碳化硅晶体产量、降低成本提供必要条件。此外，快速生长碳化硅晶体还具有放大晶体、减少晶体体缺陷等优点。 |
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