| 专利名称 | 一种制备锗纳米管阵列的方法 | 申请号 | CN200910237807.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101724904A | 公开（授权）日 | 2010.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 师文生;凌世婷;佘广为 | 主分类号 | C30B29/08(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/08(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备锗纳米管阵列的方法 至一种制备锗纳米管阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明属于纳米材料制备技术领域，特别涉及一种制备锗纳米管阵列的方法。本发明是利用电化学沉积法在导电基片上生长定向排列的氧化锌纳米线阵列，然后以定向排列的氧化锌纳米线阵列作为模板，用热蒸发的方法在氧化锌纳米线表面沉积一层锗薄膜，经过盐酸浸泡除去氧化锌模板得到一维锗纳米管阵列。本发明的方法简单，得到的锗纳米管一端封闭，长度为1～5μm，直径为100～500nm，管壁厚度为20～60nm，为多晶或非晶结构。本发明制备的锗纳米管在导电基片上有序排列，长度、直径和管壁厚度均可控。 |
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