| 专利名称 | 一种制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法 | 申请号 | CN200910238110.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101724893A | 公开（授权）日 | 2010.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所;北京天科合达蓝光半导体有限公司 | 发明（设计）人 | 陈小龙;刘春俊;王波;彭同华;鲍慧强;王文军;王皖燕;王刚;李龙远 | 主分类号 | C30B23/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B23/00(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法 至一种制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种无深能级补偿元素的情况下制备高纯半绝缘碳化硅晶体的方法。该晶体的电阻率大于106欧姆·厘米、合适条件下可以达到109欧姆·厘米以上。通过快速的晶体生长速度控制晶体的电阻率，该速度足够快来主导晶体的电学性能。具体的晶体生长速度要求大于0.6mm/h、优选在2mm/h以上，晶体在热力学的极度非平衡状态下结晶生长，从而增加晶体中空位、空位集团或反位等原生的点缺陷浓度；然后，将生长完的碳化硅晶体以较快的降温速度冷却至1000℃-1500℃，确保晶体的点缺陷浓度足够补偿非故意掺杂形成的浅施主和浅受主浓度之差，达到半绝缘的电学性能。除了提高晶体的电阻率外，本发明进一步的优点是减少晶体微管数量。 |
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