| 专利名称 | 一种栅介质/金属栅集成结构的制备方法 | 申请号 | CN200810224908.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101728257A | 公开（授权）日 | 2010.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;许高博;柴淑敏 | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/8238(2006.01)I | 专利有效期 | 一种栅介质/金属栅集成结构的制备方法 至一种栅介质/金属栅集成结构的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 一种HfLaON栅介质/TaN金属栅集成结构的制备方法，步骤为：(1)在常规清洗后，在氢氟酸/异丙醇/水溶液中浸泡，以抑制颗粒和自然氧化物的生长；(2)紧接着用RTA生长超薄界面氧化层SiOx或氮氧化层SiON；(3)采用PVD方法，利用磁控反应溅射工艺交替溅射Hf-La靶和Hf靶淀积HfLaON高介电常数(K)栅介质；(4)淀积HfLaON后，快速热退火；(5)采用PVD方法，磁控反应溅射TaN金属薄膜；(6)TaN金属电极和背面欧姆接触形成后，进行合金退火处理。 |
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