| 专利名称 | 实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法 | 申请号 | CN200810224108.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101728468A | 公开（授权）日 | 2010.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 谭满清;孙孟相 | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 专利有效期 | 实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法 至实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法，该方法包括：在长方体管壳的底部焊接一散热基座；在散热基座上靠近管壳后壁处焊接上一热沉；将半导体超辐射发光二极管的管芯衬底垂直焊接在该热沉上；从该长方体管壳前壁耦合出出光尾纤，从长方体管壳的侧壁或后壁引出管芯驱动电流的正负极两只管脚；将该长方体管壳置于封焊机的全氮气氛围中，对该长方体管壳进行半导体超辐射发光二极管管芯的无制冷封装。本发明提供的这种实现半导体超辐射发光二极管无制冷封装耦合的方法，实现简单，结构尺寸小，其体积和成本得到大幅度降低，具备小型化的特点，实现了超辐射二极管模块的小型化和低成本化。 |
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