| 专利名称 | 高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器 | 申请号 | CN200910225371.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101728450A | 公开（授权）日 | 2010.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 包西昌;朱龙源;李向阳;兰添翼;赵水平;王妮丽;刘诗嘉 | 主分类号 | H01L31/09(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L31/09(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器 至高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高占空比碲镉汞长波红外光电导面阵探测器，器件结构包括：衬底，此衬底是采用激光打孔机打的直径约为60微米面阵的微孔中电镀金的蓝宝石。碲镉汞材料，该晶片包含双面精抛处理且长阳极氧化膜，的碲镉汞晶片，其中与环氧树脂胶接触的一面增加了一层ZnS抗反膜。环氧树脂胶，此胶的目的是把有ZnS的碲镉汞材料面粘结在衬底上。电极，此电极制作在刻穿碲镉汞晶片后溶解掉环氧树脂胶，形成的与电镀金相对应的面阵及周围部分碲镉汞上，通过井伸工艺连接碲镉汞与电镀金。蓝宝石电路，此电路与芯片背面的电镀金通过蒸镀的铟柱互联，使信号读出。 |
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