| 专利名称 | 背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器 | 申请号 | CN200910226302.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101728403A | 公开（授权）日 | 2010.06.09 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 赵水平;朱龙源;李向阳;刘诗嘉;兰添翼;王妮丽;蔡子健;贾嘉 | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/144(2006.01)I;H01L23/498(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;G01J1/02(2006.01)I | 专利有效期 | 背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器 至背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器，其特征在于，包括：一硒化锌衬底；一通过环氧胶固定在衬底上的碲镉汞薄片；与衬底接触的碲镉汞薄片面带有阳极氧化层与ZnS增透层，通过光刻在碲镉汞薄片表面的双层钝化面上形成光敏元面阵，及分别位于光敏元二端的信号引出电极区和公共电极区。信号引出电极区与公共电极区，均从采光面的背面引出，在规定的区域生长铟柱，信号读出电路板生长铟柱，采用铟柱互连的方式。将芯片电极的铟柱和电极板的铟柱连在一起。信号和公用电极区上依次生长有铟层、金层，铟柱。构成背照式碲镉汞长波光导型红外面阵探测器。 |
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