| 专利名称 | 一种二氧化硅包覆量子点的制备方法 | 申请号 | CN200910259810.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101717644A | 公开（授权）日 | 2010.06.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 马晓波;聂伟;姬相玲 | 主分类号 | C09K11/88(2006.01)I | IPC主分类号 | C09K11/88(2006.01)I | 专利有效期 | 一种二氧化硅包覆量子点的制备方法 至一种二氧化硅包覆量子点的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明提供一种二氧化硅包覆量子点的制备方法，包括：将CdSe/CdS核-壳结构量子点分散到环己烷中得到第一混合液；向所述第一混合液中加入正己烷、表面活性剂和正硅酸乙酯得到第二混合液；向所述第二混合液中加入氨水进行反应；将反应产物沉淀并分离得到二氧化硅包覆的量子点。本发明先将CdSe/CdS量子点分散到环己烷中得到第一混合液，然后以正己烷作为分散剂加入到所述第一混合液中，由于正己烷与环己烷极性相近，从而使量子点可以很好地分散在正己烷中，当正硅酸乙酯水解形成SiO2后能够最大限度的包裹在量子点上，得到粒径均匀的SiO2包覆的CdSe/CdS核-壳结构的量子点。与现有技术相比，本发明实验步骤少，操作简单且易控制。 |
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