| 专利名称 | 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管 | 申请号 | CN200910199721.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101719499A | 公开（授权）日 | 2010.06.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 肖德元;王曦;张苗;陈静;薛忠营 | 主分类号 | H01L27/092(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/092(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I | 专利有效期 | 混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管 至混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种混合材料积累型圆柱体全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有p沟道的PMOS区域、具有n沟道的NMOS区域及栅区，其特征在于：所述的p沟道及n沟道均为圆柱体，且具有不同的半导体材料，所述的p沟道为Ge材料，所述的n沟道为Si材料；栅区域将所述p沟道及n沟道的表面完全包围；在PMOS与NMOS区域之间、PMOS区域或NMOS区域与Si衬底之间均有埋层氧化层将它们隔离。本器件结构简单、紧凑，集成度高，在积累工作模式下，电流流过整个圆柱形的沟道，具备高载流子迁移率，低低频器件噪声，并可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应，增大了器件的阈值电压。 |
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