| 专利名称 | 一种基于超导线圈的强磁场磁控溅射阴极 | 申请号 | CN200910093159.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101719457A | 公开（授权）日 | 2010.06.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 邱清泉;肖立业;黄天斌;张国民;李晓航 | 主分类号 | H01J37/34(2006.01)I | IPC主分类号 | H01J37/34(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I | 专利有效期 | 一种基于超导线圈的强磁场磁控溅射阴极 至一种基于超导线圈的强磁场磁控溅射阴极 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种基于超导线圈的强磁场磁控溅射阴极。由平面靶材(1)、水冷背板(2)超导线圈(3)、外磁轭(4)、内磁轭(5)和底磁轭(6)、杜瓦(7)和阴极电源构成；超导线圈(3)置于在由外磁轭(4)、内磁轭(5)和底磁轭(6)包围的空间内，超导线圈(3)和外磁轭(4)、内磁轭(5)和底磁轭(6)安装在杜瓦(7)中，由液氮循环冷却、液氮加制冷机冷却或制冷机直接冷却。超导线圈(3)根据不同应用场合，可绕制成跑道形或圆形结构，通过电流引线连接到外部直流电源。 |
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