| 专利名称 | 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法 | 申请号 | CN200910198961.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101719505A | 公开（授权）日 | 2010.06.02 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 叶振华;黄建;杨建荣;尹文婷;邢雯;林春;陈兴国;胡晓宁;丁瑞军;何力 | 主分类号 | H01L27/144(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/144(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法 至碲镉汞红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种碲镉汞(HgCdTe)红外焦平面列阵器件钝化界面的植氢优化方法，它涉及光电探测器制造工艺技术。本发明采用直接将生长完碲化镉/硫化锌(CdTe/ZnS)复合介质钝化膜后的HgCdTe红外焦平面探测器光敏感元芯片，放置在真空腔体内进行低能等离子体植氢处理的钝化界面优化的技术方案，有效解决了碲镉汞红外焦平面钝化界面存在过多的未饱和悬挂键、界面电荷的问题。本发明方法具有工艺简单、操作快捷、可控性好和稳定性高的特点。 |
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