| 专利名称 | 一种金属性和半导体性碳纳米管的分离方法 | 申请号 | CN200910182678.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101704506 | 公开（授权）日 | 2010.05.12 | 申请（专利权）人 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 金赫华;李红波;李清文 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种金属性和半导体性碳纳米管的分离方法 至一种金属性和半导体性碳纳米管的分离方法 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明提供一种金属性和半导体性碳纳米管的分离方法，其特征在于：基于分离用介质与金属性或半导体性碳纳米管的选择吸附性与富集作用，通过结合电泳、离心或冻结挤压的简便快速、低成本的方式，形成半导体性碳纳米管和金属性碳纳米管富集区，实现金属性和半导体性碳纳米管的分离。本发明利用分离用介质分离碳纳米管，使分离后的碳纳米管样品保持稳定的状态，有利于精度分离和回收样品，并且易于实现碳纳米管的分离、量产，有利于满足工业化生产的需要。 |
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