| 专利名称 | 碳纳米管阵列有机污染物传感器及用途 | 申请号 | CN200910035779.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101701927 | 公开（授权）日 | 2010.05.05 | 申请（专利权）人 | 苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 发明（设计）人 | 邢振远;刘立伟;宋仁升;耿秀梅;牛亮;荣吉赞;李伟伟 | 主分类号 | G01N27/04(2006.01)I | IPC主分类号 | G01N27/04(2006.01)I | 专利有效期 | 碳纳米管阵列有机污染物传感器及用途 至碳纳米管阵列有机污染物传感器及用途 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种碳纳米管阵列有机污染物传感器及用途，先利用化学气相沉积或交流电泳的方法在衬底上制成金属性和半导体性混合的定向单壁碳纳米管阵列；继而采用过载电流烧毁碳纳米管阵列中的金属性碳纳米管并采用金属纳米颗粒修饰所得到的半导体性碳纳米管阵列；最后在金属纳米颗粒修饰后的碳纳米管阵列表面光刻或金属膜沉积交叉指电极。该传感器完全是半导体碳纳米管阵列结构，具有实现室温环境下场效应的性能，能够提高器件对各种有机分子的识别和选择性，可用于对室内外或太空中NO、NO2及苯系物有机污染气体的灵敏探测。 |
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