| 专利名称 | 一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法 | 申请号 | CN201010211448.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101901754A | 公开（授权）日 | 2010.12.01 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 魏星;王湘;李显元;张苗;王曦;林成鲁 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法 至一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法 | 法律状态 | 著录事项变更 | 说明书摘要 | 本发明提供了一种在绝缘层中嵌入纳米晶的半导体材料制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底与器件衬底；在支撑衬底或器件衬底的表面生长绝缘层；在绝缘层中注入纳米晶改性离子；通过绝缘层将支撑衬底与器件衬底键合在一起；实施键合后的退火加固。本发明的优点在于，通过对工艺顺序的巧妙调整，在不影响其他工艺的前提下，将形成纳米晶所采用的离子注入的步骤调整在键合之前实施的，从而不会影响到器件层的晶格完整性，提高了所制备的SOI材料的晶体质量。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障