| 专利名称 | 一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法 | 申请号 | CN201010211396.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101901753A | 公开（授权）日 | 2010.12.01 | 申请（专利权）人 | 上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 魏星;王湘;杨建;张苗;王曦;林成鲁 | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 专利有效期 | 一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法 至一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种带有绝缘埋层的厚膜材料的制备方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底；采用研磨减薄工艺修正所述支撑衬底，以减小衬底的总厚度偏差；抛光支撑衬底表面以降低粗糙度；将支撑衬底与器件层衬底通过一绝缘层键合在一起；将器件层衬底减薄至其厚度与最终器件层目标厚度差的范围是1μm至10μm；抛光减薄后的器件层衬底。本发明的优点在于，通过引入衬底修正的方法对支撑衬底的均匀性进行修正，以提高最终衬底的顶层半导体层的厚度均匀性。 |
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