| 专利名称 | 铜铟硒纳米线阵列及其制备方法与应用 | 申请号 | CN200910236574.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101700871 | 公开（授权）日 | 2010.05.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学技术大学 | 发明（设计）人 | 朱长飞;张中伟;刘伟丰 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 专利有效期 | 铜铟硒纳米线阵列及其制备方法与应用 至铜铟硒纳米线阵列及其制备方法与应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开一种铜铟硒纳米线阵列及其制备方法。本发明是在玻璃或硅片基底上制备金属电极层后，利用有序纳米模板做生长掩膜在衬底上的金属电极上电沉积制备有序的纳米线结构铜铟硒P型吸收层材料阵列。并通过化学腐蚀或物理刻蚀的方法从上至下部分去除模板，露出纳米线阵列，该阵列可用于制备具有光电转换性能的异质结太阳能电池。 |
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