| 专利名称 | 荷正电纳滤复合膜及其制备方法 | 申请号 | CN201110116320.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102219673A | 公开（授权）日 | 2011.10.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 张所波;王海峰 | 主分类号 | C07C63/72(2006.01)I | IPC主分类号 | C07C63/72(2006.01)I;C07C51/60(2006.01)I;B01D71/42(2006.01)I;B01D69/10(2006.01)I;B01D67/00(2006.01)I;C08J7/04(2006.01)I | 专利有效期 | 荷正电纳滤复合膜及其制备方法 至荷正电纳滤复合膜及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供了具有式(I)结构的化合物及其制备方法。本发明还提供了一种荷正电纳滤复合膜，包括：聚丙烯腈支撑层；复合于所述聚丙烯腈支撑层表面的功能层，所述功能层为具有式(I)结构的化合物与哌嗪的聚合物。本发明还提供了一种荷正电纳滤复合膜的制备方法。本发明提供的荷正电纳滤复合膜表现为正电性，不仅具有较高的膜通量，而且对钙、镁等阳离子具有较高的截留率。另外，本发明提供的制备方法工艺简单、原料来源广泛，易于实现工业化生产。实验表明，本发明提供的方法制备得到的荷正电纳滤复合膜的水通量可达50L/m2h，对钙、镁等阳离子的截留率可达95％。 |
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