| 专利名称 | 一种用于电阻型存储材料的聚西佛碱 | 申请号 | CN201110060469.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102219898A | 公开（授权）日 | 2011.10.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 李润伟;胡本林;诸葛飞;潘亮 | 主分类号 | C08G73/00(2006.01)I | IPC主分类号 | C08G73/00(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)N | 专利有效期 | 一种用于电阻型存储材料的聚西佛碱 至一种用于电阻型存储材料的聚西佛碱 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用于电阻型存储材料的聚西佛碱，该聚西佛碱包含结构单元：其中，n为正整数，R0为氢原子、C1-C20的脂肪或芳香基团，基本单元X、Y为具体结构单元(a)至(m)中的一种或两种以上的组合。本发明的聚西佛碱合成简单，具有良好的热稳定性与易加工性，在外电场作用下表现出电阻转变现象，因此可作为新型的存储材料用于电阻型随机存储器中。与现有的电阻型存储材料相比，本发明的聚西佛碱充分发挥了聚合物作为电子材料的诸多优势，例如，良好的加工性能、优异的延展性和丰富的结构变换及设计等，是一种具有发展潜力的新型的电阻型存储材料。 |
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