| 专利名称 | 压电晶体元件 | 申请号 | CN200910047335.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101834268A | 公开（授权）日 | 2010.09.15 | 申请（专利权）人 | 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 郑燕青;孔海宽;涂小牛;陈辉;施尔畏 | 主分类号 | H01L41/08(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L41/08(2006.01)I;H01L41/18(2006.01)I;H01L41/22(2006.01)I | 专利有效期 | 压电晶体元件 至压电晶体元件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种压电晶体元件，属于晶体元件领域。本发明的压电晶体元件包括压电晶体材料(1)，电极层(2)，引线(3)。所述的压电晶体材料，其化学式为A3+xB1+yAl3+zSi2+mO14+n，其中，-0.2≤x≤0.2，-0.2≤y≤0.2，-0.2≤z≤0.2，-0.2≤m≤0.2，-1.4≤n≤1.4，A为Ca、Sr或者两者的组合，B为Ta、Nb或Sb三种元素中的一种，也可以是三种元素中的几种元素的组合。本发明的压电晶体元件最高使用温度可达1000℃，具有大的高温电阻率、大的压电系数、高的机电耦合系数、室温至熔点没有相变、价格便宜等特性。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障